Research on Reactive Power Compensation Device Based on DSP

某煤矿10kV变电所实行技术改造，利用三组交流互感器实时采集三相供电线路的电流值和电压值，送入DSP中进行数据处理，并将发出指令通过驱动电路使串入电容器组的高压真空接触器动作，从而补偿电网中的无功功率，提高输电效率。经仿真结果，系统补偿后，功率因数有明显改善。     

电网并联电容器继电保护分析

对电容器的内外部故障及对应的保护方式进行了分析,明确了现行电容器保护的整定原则,从一、二次设备协调一致的角度对电容器不平衡型继电保护进行了分析比较,给出了该类保护的选型技术原则。     

一种应用于CMOS图像传感器的电容阵列PGA研究

研究了一种应用于1 024×1 024CMOS图像传感器中的温度计码电容阵列型可编程增益放大器(PGA)。该PGA采用开关电容阵列结构,通过改变输入与反馈电容值,实现了0～18dB的增益;同时,该PGA具有结构简单、电容阵列面积小、带宽大和反馈系数大等特点,其增益带宽50MHz、总谐波失真(THD)小于50dB。该PGA的信号处理能力完全满足12MHz速率、69dB动态范围CMOS图像传感器内部集成ADC对模拟输入信号的要求。     

聚乙二醇丁二酸酯对铝电解电容器工作电解液性能的影响

以聚乙二醇(400)和丁二酸酐为原料,合成了聚乙二醇丁二酸酯(PEGS).考察了所制PEGS的添加量和pH值对工作电解液的闪火电压.电导率以及铝电解电容器性能的影响.结果表明:PEGS可以提高工作电解液的闪火电压,并有效抑制电导率的降低:当添加PEGS的质量分数为3%时,工作电解液的闪火电压最大可升高45V,电导率只降...     

MLCC内电极厚度对其性能影响的研究

贱金属多层陶瓷电容器(MLCC)的内电极镍层厚度对其常规电性能、耐热冲击和绝缘稳定性有严重的影响.通过试验研究发现,镍层厚度在1 μm左右,可获得常规电性能良好和高可靠性的贱金属多层陶瓷电容器产品(BME-MLCC).     

去离子水清洗工艺对PZT铁电电容性能的影响

采用磁控溅射制备了结构为Pt/PZT/Pt/Ti/SiO2/Si的PZT铁电电容,并对样品用去离子水处理,通过测试其电滞回线以及漏电流,并结合XPS分析,研究了去离子水对PZT铁电电容的性能影响.结果表明,在去离子水清洗后,由于在PZT表面有吸附,PZT电容电滞回线沿电压轴发生漂移,电子势垒降低,漏电流增大,经过高温热...     

片式薄膜电容切片工艺及设备研究

在多种电子元器件中,电容器是使用面最广和用量最大的电子元件。片式薄膜电容器是由薄膜电容条切割而成,切片工艺是片式薄膜电容器生产中的关键工艺。介绍了叠层薄膜电容器的生产工艺。着重论述了切片工艺研究内容,并根据研究所得工艺开发出了相关设备,对设备的关键技术提出了解决办法。     

一种用于高速高精度A/D转换器的时钟自举电路

设计了一种双电容结构时钟自举电路,分析了电路工作原理,用Cadence Spectre仿真器和0.35μm CMOS PDK进行电路前仿真和后仿真.仿真结果表明,设计的双电容结构时钟自举电路能使采样电路线性度达到110dB以上,该电路已用于16位A/D转换器的设计并流片.经测试,采用该结构的16位A/D转换器的SFDR为96.25dB(FS),信噪比为76.45dB(FS).     

铝电解电容SMT无铅工艺技术分析

介绍了SMT技术,并重点介绍了铝电解电容器SMT无铅工艺技术.为满足欧盟关于电子电气设备中限制使用某些有害物质和报废指令(即WEEE和ROHS指令),通过一个案例分析了铝电解电容在无铅生产中遇到的问题和解决办法.     

一种用于气体检测MEMS电容式红外发光强度探测器

文章提出了一种用于气体检测的MEMS电容式红外发光强度探测器。结合理论推导和仿真分析确定了该探测器的尺寸大小,并对其制作工艺流程做了叙述。它基于气体的红外吸收热效应,借助弹性薄膜的形变将热量变化转变为电容量变化,再经基于运算放大器的电容微传感器检测电路以电压信号输出。将它与环境气室采用MEMS技术一体化,能够得到体积小、精度高和可批量生产的气体检测装置。